Talos F200S G2场发射透射电子显微镜
负责人:蒋丽萍
联系邮箱:jiang_lp@fudan.edu.cn
联系方式:021-31242855-8001
存放地点:复旦大学江湾校区化学楼B0034
高亮度场发射电子枪;
加速电压:20-200 KV;
合轴:80 KV、200 KV;
Low Dose成像功能;
TEM模式:
1)线分辨率:0.10 nm;
2)信息分辨率:0.12 nm;
3)放大倍数:25~1,050,000倍;
STEM模式:
1)分辨率:0.16 nm;
2)配置探头:高角环形暗场(HAADF)探头,8分段明场(BF)和环形暗场(ADF)探头。
具备高亮度场发射电子枪、高角环形暗场(HAADF)探头、8分段明场(BF)和环形暗场(ADF)探头等装置的场发射透射电子显微镜,同时具有Low Dose成像功能,可对金属、陶瓷、高分子、半导体、纳米颗粒、细胞组织等各类材料进行形貌观察和超微结构表征;可进行电子衍射和晶体结构分析,结合能谱仪可进行点、面元素分布分析,STEM模式下可同时高效采集不同探头图像。